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DOINGTER DOD6050
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD6050 |
| EBEE-Teilenummer | E841430592 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 50A 15mΩ@10V,30A 75W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1033 | $ 0.5165 |
| 50+ | $0.0821 | $ 4.1050 |
| 150+ | $0.0716 | $ 10.7400 |
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| 2500+ | $0.0560 | $ 140.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD6050 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 15mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.928nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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