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DOINGTER DOD50P06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD50P06 |
| EBEE-Teilenummer | E841430590 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 50A 270W 20mΩ@10V,20A 2.2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1797 | $ 0.8985 |
| 50+ | $0.1573 | $ 7.8650 |
| 150+ | $0.1477 | $ 22.1550 |
| 500+ | $0.1358 | $ 67.9000 |
| 2500+ | $0.1273 | $ 318.2500 |
| 5000+ | $0.1241 | $ 620.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD50P06 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 25mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 211pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 270W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.399nF | |
| Gate Charge(Qg) | 114nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.1573 | $ 7.8650 |
| 150+ | $0.1477 | $ 22.1550 |
| 500+ | $0.1358 | $ 67.9000 |
| 2500+ | $0.1273 | $ 318.2500 |
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