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DOINGTER DOD50P02
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD50P02 |
| EBEE-Teilenummer | E842395892 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0861 | $ 4.3050 |
| 150+ | $0.0747 | $ 11.2050 |
| 500+ | $0.0661 | $ 33.0500 |
| 2500+ | $0.0593 | $ 148.2500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD50P02 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 10mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 27W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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