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DOINGTER DOD50N06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD50N06 |
| EBEE-Teilenummer | E836499183 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 50A 15mΩ@10V,30A 75W 1V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0796 | $ 3.9800 |
| 150+ | $0.0701 | $ 10.5150 |
| 500+ | $0.0630 | $ 31.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD50N06 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 11mΩ@10V;15mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.928nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 136pF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0796 | $ 3.9800 |
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