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DOINGTER DOD40P03
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD40P03 |
| EBEE-Teilenummer | E836499177 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 40A 14.5mΩ@10V,10A 39W 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD40P03 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 11mΩ@10V;15mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 144pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.229nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 159pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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