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DOINGTER DOD30P06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD30P06 |
| EBEE-Teilenummer | E841416029 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 30A 35mΩ@10V,15A 50W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.1411 | $ 7.0550 |
| 150+ | $0.1258 | $ 18.8700 |
| 500+ | $0.1067 | $ 53.3500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD30P06 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 35mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 75pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.535nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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