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DOINGTER DOD20P10
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD20P10 |
| EBEE-Teilenummer | E842412123 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1882 | $ 0.9410 |
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| 150+ | $0.1345 | $ 20.1750 |
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| 2500+ | $0.1054 | $ 263.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD20P10 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 80mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 92pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 66W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.077nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.1506 | $ 7.5300 |
| 150+ | $0.1345 | $ 20.1750 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
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