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DOINGTER DOD20P06
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD20P06 |
| EBEE-Teilenummer | E841416030 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 20A 68mΩ@10V,9A 50W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD20P06 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 68mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 560pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.961nF | |
| Gate Charge(Qg) | 82.32nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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