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DOINGTER DOD12P10
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD12P10 |
| EBEE-Teilenummer | E841416020 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 12A 54W 200mΩ@10V,5A 3V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.1108 | $ 5.5400 |
| 150+ | $0.0966 | $ 14.4900 |
| 500+ | $0.0860 | $ 43.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD12P10 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 200mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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