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DOINGTER DOD120N04
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DOD120N04 |
| EBEE-Teilenummer | E842374601 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1726 | $ 0.8630 |
| 50+ | $0.1356 | $ 6.7800 |
| 150+ | $0.1197 | $ 17.9550 |
| 500+ | $0.0999 | $ 49.9500 |
| 2500+ | $0.0910 | $ 227.5000 |
| 5000+ | $0.0857 | $ 428.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DOD120N04 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 3.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 339pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 108W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.594nF | |
| Gate Charge(Qg) | 64nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 50+ | $0.1356 | $ 6.7800 |
| 150+ | $0.1197 | $ 17.9550 |
| 500+ | $0.0999 | $ 49.9500 |
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| 5000+ | $0.0857 | $ 428.5000 |
