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DOINGTER DO3407BA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DO3407BA |
| EBEE-Teilenummer | E841367402 |
| Gehäuse | SOT-23-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 4.3A 1.51W 55mΩ@10V,4.3A 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 20+ | $0.0266 | $ 0.5320 |
| 200+ | $0.0207 | $ 4.1400 |
| 600+ | $0.0175 | $ 10.5000 |
| 3000+ | $0.0155 | $ 46.5000 |
| 9000+ | $0.0138 | $ 124.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DO3407BA | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 55mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 58pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.51W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 3000+ | $0.0155 | $ 46.5000 |
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