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DOINGTER DO3407B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DO3407B |
| EBEE-Teilenummer | E841384538 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 4.1A 1.3W 55mΩ@10V,4A 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 20+ | $0.0240 | $ 0.4800 |
| 200+ | $0.0187 | $ 3.7400 |
| 600+ | $0.0158 | $ 9.4800 |
| 3000+ | $0.0140 | $ 42.0000 |
| 9000+ | $0.0125 | $ 112.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DO3407B | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 55mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 58pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 575pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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