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DOINGTER DO3400B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DO3400B |
| EBEE-Teilenummer | E841384543 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 5.8A 26mΩ@10V,4.2A 1.36W 1.4V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 20+ | $0.0205 | $ 0.4100 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0120 | $ 36.0000 |
| 9000+ | $0.0106 | $ 95.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DO3400B | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 26mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.36W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 700pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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