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DOINGTER DO2310DA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DO2310DA |
| EBEE-Teilenummer | E841367399 |
| Gehäuse | SOT-23-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 3.2A 1.7W 100mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 20+ | $0.0162 | $ 0.3240 |
| 200+ | $0.0141 | $ 2.8200 |
| 600+ | $0.0130 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0118 | $ 35.4000 |
| 9000+ | $0.0112 | $ 100.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DO2310DA | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 100mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 325pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.1nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 600+ | $0.0130 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0118 | $ 35.4000 |
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