| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DO2310D |
| EBEE-Teilenummer | E841367407 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 3A 1.5W 100mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0196 | $ 0.9800 |
| 500+ | $0.0156 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0135 | $ 40.5000 |
| 6000+ | $0.0121 | $ 72.6000 |
| 24000+ | $0.0109 | $ 261.6000 |
| 51000+ | $0.0104 | $ 530.4000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | DOINGTER DO2310D | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 100mΩ@10V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 325pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 5.1nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0196 | $ 0.9800 |
| 500+ | $0.0156 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0135 | $ 40.5000 |
| 6000+ | $0.0121 | $ 72.6000 |
| 24000+ | $0.0109 | $ 261.6000 |
| 51000+ | $0.0104 | $ 530.4000 |
