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DOINGTER DC010PG-B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DC010PG-B |
| EBEE-Teilenummer | E841367279 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 50A 10mΩ@10V,20A 75W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1114 | $ 0.5570 |
| 50+ | $0.0870 | $ 4.3500 |
| 150+ | $0.0748 | $ 11.2200 |
| 500+ | $0.0657 | $ 32.8500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | DOINGTER DC010PG-B | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 10mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 285pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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