| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ATM8N80TF |
| EBEE-Teilenummer | E8915725 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 800V 8A 1.18Ω@10V,4A 59W 5V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4271 | $ 0.4271 |
| 10+ | $0.3306 | $ 3.3060 |
| 50+ | $0.3100 | $ 15.5000 |
| 100+ | $0.2579 | $ 25.7900 |
| 500+ | $0.2357 | $ 117.8500 |
| 1000+ | $0.2215 | $ 221.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Agertech ATM8N80TF | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.18Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 13pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 59W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.58nF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4271 | $ 0.4271 |
| 10+ | $0.3306 | $ 3.3060 |
| 50+ | $0.3100 | $ 15.5000 |
| 100+ | $0.2579 | $ 25.7900 |
| 500+ | $0.2357 | $ 117.8500 |
| 1000+ | $0.2215 | $ 221.5000 |
