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Agertech ATM2N65TD
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ATM2N65TD |
| EBEE-Teilenummer | E82875843 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 2A 3.9Ω@10V,1A 28W 4V@250uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1535 | $ 0.7675 |
| 50+ | $0.1232 | $ 6.1600 |
| 160+ | $0.1102 | $ 17.6320 |
| 480+ | $0.0882 | $ 42.3360 |
| 2480+ | $0.0810 | $ 200.8800 |
| 4000+ | $0.0766 | $ 306.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Agertech ATM2N65TD | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3.9Ω@10V,1A | |
| Stromableitung (Pd) | 28W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 370pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1535 | $ 0.7675 |
| 50+ | $0.1232 | $ 6.1600 |
| 160+ | $0.1102 | $ 17.6320 |
| 480+ | $0.0882 | $ 42.3360 |
| 2480+ | $0.0810 | $ 200.8800 |
| 4000+ | $0.0766 | $ 306.4000 |
