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A Power microelectronics AP9N20D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AP9N20D |
| EBEE-Teilenummer | E83011392 |
| Gehäuse | TO-252-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 200V 6A 230mΩ@10V,4.5A 74W 1.6V@250uA 1 N-channel TO-252-3L MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2991 | $ 0.2991 |
| 10+ | $0.2300 | $ 2.3000 |
| 30+ | $0.2004 | $ 6.0120 |
| 100+ | $0.1635 | $ 16.3500 |
| 500+ | $0.1470 | $ 73.5000 |
| 1000+ | $0.1371 | $ 137.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | A Power microelectronics AP9N20D | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 300mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 74W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 684pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 103pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
| 1+ | $0.2991 | $ 0.2991 |
| 10+ | $0.2300 | $ 2.3000 |
| 30+ | $0.2004 | $ 6.0120 |
| 100+ | $0.1635 | $ 16.3500 |
| 500+ | $0.1470 | $ 73.5000 |
| 1000+ | $0.1371 | $ 137.1000 |
