| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AP8814A |
| EBEE-Teilenummer | E83011477 |
| Gehäuse | SOT-23-6L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 8A 22mΩ@2.5V,3A 1.25W 800mV@250uA 2 N-Channel SOT-23-6L MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0629 | $ 0.0629 |
| 10+ | $0.0487 | $ 0.4870 |
| 30+ | $0.0416 | $ 1.2480 |
| 100+ | $0.0362 | $ 3.6200 |
| 500+ | $0.0319 | $ 15.9500 |
| 1000+ | $0.0298 | $ 29.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | A Power microelectronics AP8814A | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 20mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 125pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 155pF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC@4V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0629 | $ 0.0629 |
| 10+ | $0.0487 | $ 0.4870 |
| 30+ | $0.0416 | $ 1.2480 |
| 100+ | $0.0362 | $ 3.6200 |
| 500+ | $0.0319 | $ 15.9500 |
| 1000+ | $0.0298 | $ 29.8000 |
