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A Power microelectronics AP7N65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AP7N65F |
| EBEE-Teilenummer | E83011407 |
| Gehäuse | TO-220F-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 7A 63W 1.35Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3L MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2686 | $ 0.2686 |
| 10+ | $0.2626 | $ 2.6260 |
| 50+ | $0.2580 | $ 12.9000 |
| 100+ | $0.2535 | $ 25.3500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | A Power microelectronics AP7N65F | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32.9W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 891pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.2580 | $ 12.9000 |
| 100+ | $0.2535 | $ 25.3500 |
