| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AP60N04D |
| EBEE-Teilenummer | E83011300 |
| Gehäuse | TO-252-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 60A 18.5mΩ@10V,20A 34.7W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1932 | $ 0.1932 |
| 10+ | $0.1603 | $ 1.6030 |
| 30+ | $0.1463 | $ 4.3890 |
| 100+ | $0.1288 | $ 12.8800 |
| 500+ | $0.1210 | $ 60.5000 |
| 1000+ | $0.0926 | $ 92.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | A Power microelectronics AP60N04D | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 18.5mΩ@10V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 34.7W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 88pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.314nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1932 | $ 0.1932 |
| 10+ | $0.1603 | $ 1.6030 |
| 30+ | $0.1463 | $ 4.3890 |
| 100+ | $0.1288 | $ 12.8800 |
| 500+ | $0.1210 | $ 60.5000 |
| 1000+ | $0.0926 | $ 92.6000 |
