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A Power microelectronics AP13P06D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AP13P06D |
| EBEE-Teilenummer | E83011462 |
| Gehäuse | TO-252-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 13.5A 31.3W 80mΩ@10V,3A 1.2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1880 | $ 0.1880 |
| 10+ | $0.1446 | $ 1.4460 |
| 30+ | $0.1260 | $ 3.7800 |
| 100+ | $0.1027 | $ 10.2700 |
| 500+ | $0.0924 | $ 46.2000 |
| 1000+ | $0.0862 | $ 86.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | A Power microelectronics AP13P06D | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 115mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 31.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.137nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.1446 | $ 1.4460 |
| 30+ | $0.1260 | $ 3.7800 |
| 100+ | $0.1027 | $ 10.2700 |
| 500+ | $0.0924 | $ 46.2000 |
| 1000+ | $0.0862 | $ 86.2000 |
