| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | CI72N170SM |
| رقم قطعة EBEE | E841782025 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Tokmas CI72N170SM | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | - | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 6.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 165pF | |
| Gate Charge(Qg) | 193nC |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
