Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة

Power X KXMW120R80T3


المصنّع
رقم قطعة المصنّع
KXMW120R80T3
رقم قطعة EBEE
E820607110
الحزمة
TO-247-3L
رقم العميل
ورقة البيانات
نماذج EDA
ECCN
-
الوصف
TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>

متوفر : يرجى الاستفسار

يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.

اسم جهة الاتصال
البريد الإلكتروني المهني
اسم الشركة
البلد
الجودة
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
الكمية.سعر الوحدةالسعر الإجمالي
1+$7.0573$ 7.0573
10+$6.1859$ 61.8590
30+$5.6550$ 169.6500
90+$5.2093$ 468.8370
النوعالوصف
تحديد الكل
الفئةSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
ورقة البياناتPower X KXMW120R80T3
RoHS
Power Dissipation251W
Continuous Drain Current49A
Channel Type1 N-Channel
Drain Source Voltage1200V

دليل التسوق

توسيع