Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة

Tokmas CI7N170SM


المصنّع
رقم قطعة المصنّع
CI7N170SM
رقم قطعة EBEE
E82842690
الحزمة
TO-247-3
رقم العميل
ورقة البيانات
نماذج EDA
ECCN
-
الوصف
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>
715 في المخزن للشحن السريع
715 متوفر للشحن الفوري
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
الكمية.سعر الوحدةالسعر الإجمالي
1+$3.5003$ 3.5003
10+$3.0571$ 30.5710
30+$2.0475$ 61.4250
90+$1.7652$ 158.8680
510+$1.6358$ 834.2580
1020+$1.5806$ 1612.2120
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
النوعالوصف
تحديد الكل
الفئةSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
ورقة البياناتTokmas CI7N170SM
RoHS
TypeN-Channel
RDS(on)850mΩ
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)1.8pF
Pd - Power Dissipation62W
Drain to Source Voltage1.7kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance194pF
Output Capacitance(Coss)13pF
Gate Charge(Qg)23nC

دليل التسوق

توسيع