Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS)
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | CI60N120SM5(TOKMAS) |
| رقم قطعة EBEE | E821547659 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>10 في المخزن للشحن السريع
10 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9649 | $ 3.9649 |
| 10+ | $3.4030 | $ 34.0300 |
| 30+ | $2.9795 | $ 89.3850 |
| 90+ | $2.6417 | $ 237.7530 |
| 510+ | $2.4861 | $ 1267.9110 |
| 1020+ | $2.4160 | $ 2464.3200 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 60mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 11.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 118pF | |
| Gate Charge(Qg) | 128nC |
دليل التسوق
توسيع
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9649 | $ 3.9649 |
| 10+ | $3.4030 | $ 34.0300 |
| 30+ | $2.9795 | $ 89.3850 |
| 90+ | $2.6417 | $ 237.7530 |
| 510+ | $2.4861 | $ 1267.9110 |
| 1020+ | $2.4160 | $ 2464.3200 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
