Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Tokmas CI30N65SM
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | CI30N65SM |
| رقم قطعة EBEE | E83010930 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>44 في المخزن للشحن السريع
44 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8534 | $ 3.8534 |
| 10+ | $3.3088 | $ 33.0880 |
| 30+ | $3.0786 | $ 92.3580 |
| 90+ | $2.7499 | $ 247.4910 |
| 510+ | $2.5991 | $ 1325.5410 |
| 1020+ | $2.5308 | $ 2581.4160 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Tokmas CI30N65SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 77pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC |
دليل التسوق
توسيع
44 Stock for Shipping Fast
44 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8534 | $ 3.8534 |
| 10+ | $3.3088 | $ 33.0880 |
| 30+ | $3.0786 | $ 92.3580 |
| 90+ | $2.7499 | $ 247.4910 |
| 510+ | $2.5991 | $ 1325.5410 |
| 1020+ | $2.5308 | $ 2581.4160 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
