Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
SUPSiC GC3M0120090D
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | GC3M0120090D |
| رقم قطعة EBEE | E87435035 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>150 في المخزن للشحن السريع
150 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6573 | $ 5.6573 |
| 10+ | $4.8930 | $ 48.9300 |
| 30+ | $4.4389 | $ 133.1670 |
| 90+ | $3.9799 | $ 358.1910 |
| 600+ | $3.7695 | $ 2261.7000 |
| 900+ | $3.6729 | $ 3305.6100 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | SUPSiC GC3M0120090D | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 120mΩ@15V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 97W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 414pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
دليل التسوق
توسيع
150 Stock for Shipping Fast
150 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6573 | $ 5.6573 |
| 10+ | $4.8930 | $ 48.9300 |
| 30+ | $4.4389 | $ 133.1670 |
| 90+ | $3.9799 | $ 358.1910 |
| 600+ | $3.7695 | $ 2261.7000 |
| 900+ | $3.6729 | $ 3305.6100 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
