Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
SUPSiC GC3M0080120K
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | GC3M0080120K |
| رقم قطعة EBEE | E821547378 |
| الحزمة | TO-247-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>101 في المخزن للشحن السريع
101 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6639 | $ 4.6639 |
| 10+ | $3.9884 | $ 39.8840 |
| 30+ | $3.5859 | $ 107.5770 |
| 90+ | $3.1787 | $ 286.0830 |
| 450+ | $2.9909 | $ 1345.9050 |
| 900+ | $2.9057 | $ 2615.1300 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | SUPSiC GC3M0080120K | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 90mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -40℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
دليل التسوق
توسيع
101 Stock for Shipping Fast
101 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6639 | $ 4.6639 |
| 10+ | $3.9884 | $ 39.8840 |
| 30+ | $3.5859 | $ 107.5770 |
| 90+ | $3.1787 | $ 286.0830 |
| 450+ | $2.9909 | $ 1345.9050 |
| 900+ | $2.9057 | $ 2615.1300 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
