Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
SUPSiC GC3M0021120K
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | GC3M0021120K |
| رقم قطعة EBEE | E87435052 |
| الحزمة | TO-247-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>121 في المخزن للشحن السريع
121 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $14.2369 | $ 14.2369 |
| 10+ | $13.0794 | $ 130.7940 |
| 30+ | $12.0125 | $ 360.3750 |
| 90+ | $11.0821 | $ 997.3890 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | SUPSiC GC3M0021120K | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 21mΩ@15V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -40℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.818nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 162nC |
دليل التسوق
توسيع
121 Stock for Shipping Fast
121 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $14.2369 | $ 14.2369 |
| 10+ | $13.0794 | $ 130.7940 |
| 30+ | $12.0125 | $ 360.3750 |
| 90+ | $11.0821 | $ 997.3890 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
