Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
SUPSiC GC2M1000170D
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | GC2M1000170D |
| رقم قطعة EBEE | E87435057 |
| الحزمة | TO247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>142 في المخزن للشحن السريع
142 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1490 | $ 2.1490 |
| 10+ | $1.8389 | $ 18.3890 |
| 30+ | $1.4907 | $ 44.7210 |
| 90+ | $1.2913 | $ 116.2170 |
| 600+ | $1.2027 | $ 721.6200 |
| 900+ | $1.1632 | $ 1046.8800 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | SUPSiC GC2M1000170D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 800mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 215pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
دليل التسوق
توسيع
142 Stock for Shipping Fast
142 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1490 | $ 2.1490 |
| 10+ | $1.8389 | $ 18.3890 |
| 30+ | $1.4907 | $ 44.7210 |
| 90+ | $1.2913 | $ 116.2170 |
| 600+ | $1.2027 | $ 721.6200 |
| 900+ | $1.1632 | $ 1046.8800 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
