| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SL19N120A |
| رقم قطعة EBEE | E82760944 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6063 | $ 5.6063 |
| 10+ | $4.8746 | $ 48.7460 |
| 30+ | $4.0177 | $ 120.5310 |
| 90+ | $3.6435 | $ 327.9150 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 160mΩ@20V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 134W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 895pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6063 | $ 5.6063 |
| 10+ | $4.8746 | $ 48.7460 |
| 30+ | $4.0177 | $ 120.5310 |
| 90+ | $3.6435 | $ 327.9150 |
