| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SP90N120CTK |
| رقم قطعة EBEE | E822466827 |
| الحزمة | TO-247-4L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7391 | $ 3.7391 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Siliup SP90N120CTK | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 15mΩ@18V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 503W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 135A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.76nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 243pF | |
| Gate Charge(Qg) | 210nC |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7391 | $ 3.7391 |
