5% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Siliup SP50N120CTK
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SP50N120CTK |
| رقم قطعة EBEE | E822466829 |
| الحزمة | TO-247-4L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>50 في المخزن للشحن السريع
50 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4091 | $ 3.4091 |
| 10+ | $2.8886 | $ 28.8860 |
| 30+ | $2.5796 | $ 77.3880 |
| 90+ | $2.2677 | $ 204.0930 |
| 510+ | $2.1246 | $ 1083.5460 |
| 990+ | $2.0591 | $ 2038.5090 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Siliup SP50N120CTK | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 35mΩ@18V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 74A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.975nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF | |
| Gate Charge(Qg) | 117nC |
دليل التسوق
توسيع
50 Stock for Shipping Fast
50 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4091 | $ 3.4091 |
| 10+ | $2.8886 | $ 28.8860 |
| 30+ | $2.5796 | $ 77.3880 |
| 90+ | $2.2677 | $ 204.0930 |
| 510+ | $2.1246 | $ 1083.5460 |
| 990+ | $2.0591 | $ 2038.5090 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
