5% off
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SP35N120CTF |
| رقم قطعة EBEE | E822466830 |
| الحزمة | TO-247-3L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5272 | $ 6.5272 |
| 10+ | $5.6248 | $ 56.2480 |
| 30+ | $4.9585 | $ 148.7550 |
| 90+ | $4.4968 | $ 404.7120 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Siliup SP35N120CTF | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 60mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 327W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.56nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 121pF | |
| Gate Charge(Qg) | 124nC |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5272 | $ 6.5272 |
| 10+ | $5.6248 | $ 56.2480 |
| 30+ | $4.9585 | $ 148.7550 |
| 90+ | $4.4968 | $ 404.7120 |
