5% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Siliup SP25N120CTK
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SP25N120CTK |
| رقم قطعة EBEE | E822466831 |
| الحزمة | TO-247-4L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>76 في المخزن للشحن السريع
76 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
| 990+ | $1.2495 | $ 1237.0050 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Siliup SP25N120CTK | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 60mΩ@18V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.92nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
دليل التسوق
توسيع
76 Stock for Shipping Fast
76 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
| 990+ | $1.2495 | $ 1237.0050 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
