15% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Sichainsemi S1M075120J2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | S1M075120J2 |
| رقم قطعة EBEE | E822363611 |
| الحزمة | TO-263-7L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>86 في المخزن للشحن السريع
86 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Sichainsemi S1M075120J2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 169W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 39A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
دليل التسوق
توسيع
86 Stock for Shipping Fast
86 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
