15% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Sichainsemi S1M075120D2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | S1M075120D2 |
| رقم قطعة EBEE | E822363610 |
| الحزمة | TO-247-3L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>570 في المخزن للشحن السريع
570 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8745 | $ 2.8745 |
| 10+ | $2.4859 | $ 24.8590 |
| 30+ | $2.2538 | $ 67.6140 |
| 90+ | $2.0203 | $ 181.8270 |
| 510+ | $1.9123 | $ 975.2730 |
| 990+ | $1.8638 | $ 1845.1620 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Sichainsemi S1M075120D2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 44A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
دليل التسوق
توسيع
570 Stock for Shipping Fast
570 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8745 | $ 2.8745 |
| 10+ | $2.4859 | $ 24.8590 |
| 30+ | $2.2538 | $ 67.6140 |
| 90+ | $2.0203 | $ 181.8270 |
| 510+ | $1.9123 | $ 975.2730 |
| 990+ | $1.8638 | $ 1845.1620 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
