20% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Sichainsemi S1M040120D
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | S1M040120D |
| رقم قطعة EBEE | E822363606 |
| الحزمة | TO-247-3L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>321 في المخزن للشحن السريع
321 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Sichainsemi S1M040120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 32mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 73A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.159nF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
دليل التسوق
توسيع
321 Stock for Shipping Fast
321 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
