| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | BSM180C12P2E202 |
| رقم قطعة EBEE | E85955632 |
| الحزمة | - |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $290.3541 | $ 290.3541 |
| 200+ | $272.6993 | $ 54539.8600 |
| 500+ | $263.5872 | $ 131793.6000 |
| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| تبديد الطاقة | 1360W | |
| تيار التصريف المستمر | 204A | |
| نوع القناة | 1 N-Channel | |
| تصريف مصدر الجهد | 1200V |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $290.3541 | $ 290.3541 |
| 200+ | $272.6993 | $ 54539.8600 |
| 500+ | $263.5872 | $ 131793.6000 |
| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
