Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
onsemi NTBG060N065SC1
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTBG060N065SC1 |
| رقم قطعة EBEE | E85209021 |
| الحزمة | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>18 في المخزن للشحن السريع
18 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9752 | $ 9.9752 |
| 10+ | $8.5155 | $ 85.1550 |
| 30+ | $7.6258 | $ 228.7740 |
| 100+ | $6.8786 | $ 687.8600 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | onsemi NTBG060N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 70mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.473nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 133pF | |
| Gate Charge(Qg) | 74nC |
دليل التسوق
توسيع
18 Stock for Shipping Fast
18 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9752 | $ 9.9752 |
| 10+ | $8.5155 | $ 85.1550 |
| 30+ | $7.6258 | $ 228.7740 |
| 100+ | $6.8786 | $ 687.8600 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
