Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C065R060K3
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | MDDG2C065R060K3 |
| رقم قطعة EBEE | E822370505 |
| الحزمة | TO-247-3L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $12.2535 | $ 12.2535 |
| 200+ | $4.8906 | $ 978.1200 |
| 450+ | $4.7266 | $ 2126.9700 |
| 900+ | $4.6463 | $ 4181.6700 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C065R060K3 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| تبديد الطاقة | - | |
| إجمالي رسوم البوابة | - | |
| تيار التصريف المستمر | 29A | |
| سعة النقل العكسية | - | |
| سعة المدخلات | - | |
| التكوين | - | |
| نوع القناة | 1 N-Channel | |
| الصرف-المصدر على الدولة المقاومة (15V) | - | |
| الصرف-المصدر على الدولة المقاومة (18V) | - | |
| الصرف-المصدر على الدولة المقاومة (20V) | - | |
| النوع المغلف | - | |
| الصرف-المصدر على الدولة المقاومة (10V) | - | |
| تصريف مصدر الجهد | 650V | |
| عتبة مصدر التصريف الجهد | - |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $12.2535 | $ 12.2535 |
| 200+ | $4.8906 | $ 978.1200 |
| 450+ | $4.7266 | $ 2126.9700 |
| 900+ | $4.6463 | $ 4181.6700 |
