| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | LSIC1MO120G0025 |
| رقم قطعة EBEE | E83290757 |
| الحزمة | TO-247-4L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $45.4181 | $ 45.4181 |
| 200+ | $17.5757 | $ 3515.1400 |
| 500+ | $16.9581 | $ 8479.0500 |
| 1000+ | $16.6529 | $ 16652.9000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Littelfuse LSIC1MO120G0025 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 500W | |
| Continuous Drain Current | 100A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $45.4181 | $ 45.4181 |
| 200+ | $17.5757 | $ 3515.1400 |
| 500+ | $16.9581 | $ 8479.0500 |
| 1000+ | $16.6529 | $ 16652.9000 |
