Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
InventChip IV1Q12160T4
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IV1Q12160T4 |
| رقم قطعة EBEE | E82894810 |
| الحزمة | TO-247-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5422 | $ 10.5422 |
| 10+ | $9.1533 | $ 91.5330 |
| 30+ | $7.9908 | $ 239.7240 |
| 90+ | $7.2826 | $ 655.4340 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | InventChip IV1Q12160T4 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 195mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 138W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 885pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 38pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5422 | $ 10.5422 |
| 10+ | $9.1533 | $ 91.5330 |
| 30+ | $7.9908 | $ 239.7240 |
| 90+ | $7.2826 | $ 655.4340 |
