Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
InventChip IV1Q12080T4Z
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IV1Q12080T4Z |
| رقم قطعة EBEE | E85806849 |
| الحزمة | TO-247-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.4311 | $ 10.4311 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0927 | $ 242.7810 |
| 90+ | $7.3881 | $ 664.9290 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | InventChip IV1Q12080T4Z | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 80mΩ@20V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 69pF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.4311 | $ 10.4311 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0927 | $ 242.7810 |
| 90+ | $7.3881 | $ 664.9290 |
