Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Infineon Technologies IMZ120R060M1H
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IMZ120R060M1HXKSA1 |
| رقم قطعة EBEE | E8536292 |
| الحزمة | TO-247-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>2597 في المخزن للشحن السريع
2597 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9838 | $ 4.9838 |
| 10+ | $4.2598 | $ 42.5980 |
| 30+ | $3.8296 | $ 114.8880 |
| 90+ | $3.3945 | $ 305.5050 |
| 510+ | $3.1945 | $ 1629.1950 |
| 990+ | $3.1040 | $ 3072.9600 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Infineon Technologies IMZ120R060M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 60mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.06nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 31nC |
دليل التسوق
توسيع
2597 Stock for Shipping Fast
2597 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9838 | $ 4.9838 |
| 10+ | $4.2598 | $ 42.5980 |
| 30+ | $3.8296 | $ 114.8880 |
| 90+ | $3.3945 | $ 305.5050 |
| 510+ | $3.1945 | $ 1629.1950 |
| 990+ | $3.1040 | $ 3072.9600 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
