Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Infineon Technologies IMW120R220M1HXKSA1
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IMW120R220M1HXKSA1 |
| رقم قطعة EBEE | E82997930 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>7 في المخزن للشحن السريع
7 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3130 | $ 5.3130 |
| 10+ | $4.5693 | $ 45.6930 |
| 30+ | $4.1162 | $ 123.4860 |
| 100+ | $3.7374 | $ 373.7400 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | Infineon Technologies IMW120R220M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 220mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 289pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 16pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.5nC |
دليل التسوق
توسيع
7 Stock for Shipping Fast
7 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3130 | $ 5.3130 |
| 10+ | $4.5693 | $ 45.6930 |
| 30+ | $4.1162 | $ 123.4860 |
| 100+ | $3.7374 | $ 373.7400 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
