12% off
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC3M0045065D |
| رقم قطعة EBEE | E822449546 |
| الحزمة | TO-247 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $9.3723 | $ 9.3723 |
| 10+ | $8.0547 | $ 80.5470 |
| 30+ | $7.2514 | $ 217.5420 |
| 90+ | $6.5779 | $ 592.0110 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC3M0045065D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 33mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 49A |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $9.3723 | $ 9.3723 |
| 10+ | $8.0547 | $ 80.5470 |
| 30+ | $7.2514 | $ 217.5420 |
| 90+ | $6.5779 | $ 592.0110 |
