12% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HXY MOSFET HC3M001K170J
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC3M001K170J |
| رقم قطعة EBEE | E822449551 |
| الحزمة | TO-263-7L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>167 في المخزن للشحن السريع
167 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2447 | $ 4.2447 |
| 10+ | $3.6466 | $ 36.4660 |
| 50+ | $3.2234 | $ 161.1700 |
| 100+ | $2.8628 | $ 286.2800 |
| 500+ | $2.6966 | $ 1348.3000 |
| 1000+ | $2.6212 | $ 2621.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC3M001K170J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 700mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 86W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
دليل التسوق
توسيع
167 Stock for Shipping Fast
167 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2447 | $ 4.2447 |
| 10+ | $3.6466 | $ 36.4660 |
| 50+ | $3.2234 | $ 161.1700 |
| 100+ | $2.8628 | $ 286.2800 |
| 500+ | $2.6966 | $ 1348.3000 |
| 1000+ | $2.6212 | $ 2621.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
